重生之互联网致富手册第367章 助攻3D晶体管研究再获一员大将（3合1）
赵德彬在得州停留了三天两晚，便返回了硅谷。</p>
这次过来邀请张孺京还是很顺利的，回程的时候，赵德彬包里已经装着了张孺京签好字的合同。</p>
在赵德彬离开这天，张孺京向得州仪器提交了辞呈，并与总裁面谈过了。</p>
张孺京现在的地位已经很高了，纵使是辞了职，也不是一天两天就能离开的，还需要一到两个月的时间做交接。</p>
赵德彬能看得出来，张孺京是铁了心要回国。</p>
临走前，张孺京把珍藏多年的硕士毕业论文送给了赵德彬：</p>
“这篇论文是我在1973年写的，距离现在已经有18年了。</p>
它是我非常珍贵的回忆，这么多年，我一直将它带在身边，它见证了我每一步的成长。</p>
今天，我将它送给赵先生留作纪念，感谢赵先生给了我这次回国的机会。”</p>
通过张孺京，赵德彬还认识了加州大学伯克立分校的华裔校长田长林先生，并与田长林约定在回到加州后见上一面。</p>
张孺京的硕士是在新约州立大学读的，他的导师是一位名叫戴维·本南森的犹太教授，由于张孺京是留学生，各项费用都比较高，导师热心地帮他申请了奖学金，并且让张孺京担任自己的研究助理，帮助张孺京解决了生活来源问题。</p>
当时，张孺京和导师经常要做实验，由于学校只允许他们在晚九点以后使用电脑，以至于实验经常做到凌晨，没有结束，请点击下一页继续阅读！</p>
当时，业内公认的说法是：35纳米是摩尔定律的尽头，想要把半导体元件做到25纳米以下是不现实的。</p>
就在这个紧要关头，胡正铭提出了一个方案，将芯片立体化，把扁平宽的晶体管结构变成了高而窄的晶体管结构，如此一来芯片的容量提高了400倍，可以继续集成下去。</p>
胡正明团队提出的晶体管数学模型，成为了芯片设计的第一个，而且是唯一的一个国际标准。</p>
1999年，胡正铭团队又研发出了“鳍式场效应晶体管（fi）”，凿穿了半导体行业35纳米的天花板，一举奠定了接下来三十年的芯片制造的基础，给摩尔定律又续命了好几十年。</p>
在后世，胡正铭的发明被广泛用在手机等消费电子产品上，14纳米、7纳米、5纳米、3纳米制程的芯片都依仗着fi技术。</p>
此时是1991年，胡正铭正在伯克立分校担任教授，虽然还未提出fi技术，但他已经率领团队研究出了可靠性工具bert和晶体管模型bsi，这些技术为fi奠定了基础。</p>
在实验室中，赵德彬见到了这位半导体行业的巨佬。</p>
在交谈中，赵德彬了解到，胡正铭今年44岁，在中夏国都出生，后来跟随家人到了琉球生活，73年在伯克立分校获得了博士学位，然后一直从事半导体器件的开发及微型化研究。</p>
听闻赵德彬将在洪港开设代工厂，并在内地建立芯片设计机构，胡正铭沉吟片刻，随后直率地说道：</p>
“赵先生，得知你要在国内发展芯片产业，我是非常高兴的，我很希望我能出一份力。</p>
但是，我目前正在率领团队研究芯片在25纳米程制以下的漏电问题，实在脱不开身，没有办法回国助你一臂之力。</p>
实不相瞒，湾积电的莫里斯·张已经找过我好几次，邀请我到湾积电去，但都被我婉拒了。”</p>
胡正铭的回答在赵德彬的意料之内，他的研究确实只有在丑国才有条件完成。</p>
前世，胡正铭在1999年发布了fi晶体管，在2001才加入了湾积电担任cto，并在三年之后再次返回学校教书。</p>
由此看来，在胡正铭的研究没有完成前，他是不会离开学校的。</p>
虽然胡正铭只在湾积电待了短短三年，但他为湾积电做出了极大的贡献，湾积电正是靠着胡正铭和梁梦松师徒两人（顺带着还有蒋上义），才在技术上压了i一头，坐上了国际晶圆代工的老大位置。</p>
赵德彬的小算盘打得噼啪作响：师父胡正铭暂时不来没事，能把徒弟梁梦松拉过来也是好的。</p>
所以，赵德彬准备和胡正铭搞好关系。</p>
赵德彬虚心地请教：“不知道胡教授现在的研究课题是什么？”</p>
“是这样的，目前，半导体行业内的共识是，半导体制程工艺做到25纳米时将出现瓶颈，如果制造技术没有突破，很难再继续向下集成。</p>
这是因为，当晶体管达到一定数量后，会产生漏电问题，功耗会变得非常高。”</p>
芯片之所以叫集成电路，是因为芯片运行靠的是无数个极其微小的开关电路不停地通电、断电，来进行二进制运算。</p>
在芯片地方足够大的时候，这些小开关能施展得开，不会互相影响，但是，当晶体管的数量越来越多，一个个小开关开始挤在一起之后，就会产生漏电的问题。</p>
赵德彬搞了许多年的芯片，对胡正铭的fi技术也好奇地围观过，对以技术拉近关系这事非常有信心。</p>
赵德彬点点头：“我知道了，这被称为‘短沟道效应’，随着单个电路所占的面积减小，其内部隔绝电子流动的沟道也会缩短，造成漏电，干扰芯片内部的运算。”</p>
打个比方，这就相当于在自家院子里跑步，当院子足够大的时候，在里面腾云驾雾都没事，但当院子变得很小且密集的时候，随便一伸jiojio就到了隔壁邻居家院子了。</p>
“短沟道效应”一出，表明赵德彬是懂行的，胡正铭立刻来了兴致，恰好众人正在实验室中，他拿着模型对着赵德彬演示道：</p>
“目前，我们团队的解决思路是制造一种非常细的传导管道，防止电子通过栅极。</p>
我们最近的方案是通过减小栅极的氧化层厚度来达到目的，但在前段时间失败了。”</p>
赵德彬思索着说道：</p>
“胡教授，我觉得这个方案是行不通的。</p>
氧化层的厚度很难把握，如果过于薄了，电子可能会穿过氧化层，进入硅衬底，这会造成另一种泄漏。”</p>
听到赵德彬的话，胡正铭精神一振：“没想到赵先生年纪轻轻，竟有如此的学识！”</p>
紧接着，胡正铭和赵德彬就这个问题旁若无人地探讨了起来。</p>
赵德彬表面驾轻就熟，实际上在脑海里调动了所有的知识，脑子转得都快冒火了。</p>
此时，旁边的田长林、凯茜、张思明和翻译一齐四脸蒙圈。</p>
由于不懂半导体技术，四人完全听不懂赵德彬和胡正铭在讨论些什么。</p>
</p>
张思明是有眼力见的，一看这种状况，就知道赵德彬又双叒叕是和搞技术的人产生了强烈的吸引力，一时半会结束不了。</p>
于是，张思明抱歉地对田长林笑笑：“田校长，德彬就是这样，一讨论起技术就不管不顾的，还请您见谅。”</p>
作为技术人员，田长林对这种情况也是非常熟悉的，他摆摆手表示不在意：“赵先生生意做得这么大，还对技术抱有如此热忱，真是难能可贵呀！看来我为他介绍胡教授，是非常正确的。”</p>
见赵德彬和胡正铭不知道什么时候能结束，田长林也没有多留，回到办公室处理事务去了。</p>
赵德彬和胡正铭兴致勃勃地谈了数个小时，直到张思明提醒该吃晚饭了才结束谈话。</p>
在下午的交谈中，赵德彬将记忆中胡正铭后来提出的两个方案讲了出来：</p>
第一种方法叫全耗尽型绝缘体上硅（fdi），这是在晶体管下面的硅基底上另加一个绝缘层，防止电子流出栅极；</p>
第二种方法是鳍式场效晶体管（fi），又叫“储式场效应晶体管”，在硅基底上用垂直方法铺设电流通道，使栅极能够更好地控制电子流动。</p>
这两种方法一出，胡正铭对赵德彬简直惊为天人：</p>
“相较于平面工艺的晶体管，改变栅极形状，把闸门设计成类似鲨鱼鳍的叉状架构，可以大幅度提升了源极和栅极的接触面积，减少栅极宽度的同时降低漏电率。</p>
如此一来，让晶体管的空间利用率大大增加了，有希望可以达成半导体制程持续微缩的目标！</p>
本章未完，点击下一页继续阅读。